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晶片清洗用超純水機

晶片清洗用超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴格,達到PPb級,產(chǎn)水水質(zhì)要求在18.2MΩ*cm(25℃)以上。

晶片清洗用超純水機概述:

晶片清洗用超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制嚴格,達到PPb級,產(chǎn)水水質(zhì)要求在18.2MΩ*cm(25℃)以上。


晶片清洗用超純水機工藝流程:

①反滲透純水設(shè)備

RO反滲透膜的工作原理是對水施加一定的壓力,使水分子和離子態(tài)的礦物質(zhì)元素通過一層反滲透膜,而溶解在水中的絕大部分無機鹽(包括重金屬)、有機物以及細菌、病毒等無法透過反滲透膜,從而透過的純水和無法透過的濃縮水嚴格的分開;

反滲透膜上的孔徑只有0.0001um,而病毒的直徑一般有0.02-0.4um,普通細菌的直徑有0.4-1um。 反滲透純水機的正常工作有賴于一定的壓力,這個壓力大于滲透膜的滲透壓,一般是2.8公斤/平方厘米。

在水壓或水壓不穩(wěn)定的地區(qū),我們建議您一定要購買有前段增壓泵的反滲透純水系統(tǒng),它的工作壓力可達0.3-0.6Mpa,不受自來水壓限制,制水效率高,速度快、排濃縮水少。

反滲透有效的除鹽技術(shù),一級反滲透設(shè)備出水電阻率一般在0.05-0.5MΩ.CM.此純水系統(tǒng)產(chǎn)水品質(zhì)穩(wěn)定,是目前比較通用的純水生產(chǎn)設(shè)備,生產(chǎn)品質(zhì)基本滿足FPC/PCB生產(chǎn)需求。

②EDI電除鹽超純水系統(tǒng)

連續(xù)電除鹽(EDI, Electro deionization或CDI, continuous electrode ionization),是利用混和離子交換樹脂吸附給水中的陰陽離子,同時這些被吸附的離子又在直流電壓的作用下,分別透過陰陽離子交換膜而被除去的過程。

這一過程離子交換樹脂是電連續(xù)再生的,因此不需要使用酸和堿對之再生。

這種新技術(shù)可以替代傳統(tǒng)的離子交換裝置,生產(chǎn)出高達18MΩ.CM的超純水。整個工藝流程前面的部分和常規(guī)的水處理工藝沒有很大區(qū)別,一般是先經(jīng)過預(yù)處理,然后加藥殺毒,再經(jīng)過RO反滲透系統(tǒng),再使用EDI設(shè)備制取超純水。


晶片清洗用超純水機優(yōu)點:

半導(dǎo)體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水,基板晶圓片檢測清洗用水,中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗,后段檢測封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長用水,中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水,后段檢測封裝用水。同時,半導(dǎo)體行業(yè)對TOC的要求較高。


晶片清洗用超純水機特點介紹:

由于超純水設(shè)備的工藝是根據(jù)不同的入水水質(zhì)和出水要求而設(shè)計的,針對不同的原水水質(zhì)特點而設(shè)計超純水設(shè)備方案才是經(jīng)濟有效的方案,同時也是出水水質(zhì)長期穩(wěn)定達到要求的保證。超純水設(shè)備由于用途不一樣,會有不同的制造流程,或有的把幾種工藝結(jié)合起來讓水質(zhì)達到預(yù)期的效果,按類別可大至分為以下幾種,比較常用的預(yù)處理系統(tǒng),反滲透系統(tǒng), EDI電除鹽超純水系統(tǒng),精處理系統(tǒng)等。


EDI電除鹽超純水系統(tǒng)原理及特點:

(1)出水水質(zhì)具有穩(wěn)定性

(2)能連續(xù)生產(chǎn)出符合用戶要求的超純水

(3)模塊化生產(chǎn),并可實現(xiàn)全自動控制

(4)不需酸堿再生,無污水排放

(5)不會因再生而停機

(6)無需再生設(shè)備和化學(xué)藥品儲運

(7)設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊,占地面積小

(8)運行成本和維修成本低

(9)運行操作簡單,勞動強度低

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